GaSe(硒化鎵)太赫茲晶體
產品描述:
GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數大(54pm/V)，非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。 因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源，GaSe發射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實現對THz波的頻率可選擇性控制。
注:GaSe晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟，易碎。
產品特點:
太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域
抗損傷閾值高
非線性系數大
CO2激光的SHG
多種尺寸可選
客戶導向的解決方案
接受客戶定制服務
應用領域:
太赫茲時域系統
太赫茲源晶體
中遠紅外氣體探測
CO2激光的SHG
THZ實驗光源
太赫茲成像
技術參數:
GaSe晶體的透過率曲線:
實驗室光路系統:
EOS測量及反演結果:
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