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AGSe 硒鎵銀NIR-IR近紅外非線性晶體 0.76-18μm

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào):AgGaSe2
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2024-09-05 15:04:09
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  • 商鋪產(chǎn)品:3594條
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AGSe硒鎵銀(AgGaSe2)NIR-IR近紅外非線性晶體總覽AgGaSe2晶體,中文名硒鎵銀晶體,簡(jiǎn)稱AGSe晶體

詳情介紹
 

AGSe 硒鎵銀(AgGaSe2)NIR-IR近紅外非線性晶體




總覽

AgGaSe2晶體,中文名硒鎵銀晶體,簡(jiǎn)稱AGSe晶體。中紅外激光倍頻有效的晶體材料,對(duì)中紅外激光的倍頻效率高,是有效的非線性激光晶體.還同時(shí)具有三波非線性作用(OPO)的優(yōu)良性能。 'AGSe晶體透光范圍為0.73-18μm,AgGaSe2晶體可用波段位于0.9-16μm。采用目成熟的激光泵浦,AGSe晶體的OPO呈現(xiàn)寬闊的紅外可調(diào)諧性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶體獲得2.5-12μmOPO調(diào)諧光源;用1.4-1.55um調(diào)諧光源泵浦的非臨界相位匹配OPO輸出1.9-5.5um調(diào)諧光源;早在1982年,就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了脈沖CO2激光的有效倍頻;上述系統(tǒng)的輸出波段還可以用和頻或差頻混頻的方法(SF/DFM)予以擴(kuò)充。

AGSe晶體可用于光學(xué)參量放大和光學(xué)參量振蕩以及差頻產(chǎn)生,應(yīng)用波長(zhǎng)可達(dá)到中紅外的17 µm。

 

 
技術(shù)參數(shù)

主要特性

復(fù)合物

AgGaSe2

透光率, µm

0.76 – 18

單軸負(fù)晶

no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no)

非線性系數(shù), pm/V

d36 = 39.5 @10,6 µm 

對(duì)稱度

四方晶系, -42m point group

典型反射系數(shù)

10.6 µm

5.3 µm

no=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811

光學(xué)損壞閾值, MW/cm2

2000 nm
  (t=30 ns)

13

離散角, °

5.3 µm

0.68

熱導(dǎo)系數(shù) k, WM/M°C

1.1

頻帶隙能量, eV

1.8

光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性點(diǎn), μm

n0= ne, λ = 0.804

 

光學(xué)元件參數(shù)

定位精度, arc min

< 30

平行度, arc sec

< 40

平面度

546 nm

λ/4

表面質(zhì)量, scratch/dig

 

30/20

應(yīng)用

  • 有效中紅外輻射二次諧波的產(chǎn)生 

  • 中紅外區(qū)域高達(dá)17µm的光學(xué)參量振蕩器、光學(xué)參量放大器等

  • 各向同性點(diǎn)附近區(qū)域的光學(xué)窄帶濾波器(300 K時(shí)為0.804 µm)

 

對(duì)于所有晶體,我們能夠?yàn)樘囟☉?yīng)用提供合適的防反射/保護(hù)涂層,以及反射率曲線。

更新時(shí)間:2023/5/24 17:35:35

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