產(chǎn)品總覽
產(chǎn)品描述：
筱曉光子的硅基偏壓光電探測器感光范圍覆蓋200nm~1100nm，噪聲極低，響應(yīng)快，無增益，成本低，適用于常規(guī)光電探測應(yīng)用，性價比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應(yīng)用于紫外與可見光測量。
產(chǎn)品特點：
感光范圍覆蓋200nm~1100nm，常應(yīng)用于紫外與可見光測量
偏壓型探測器，極低噪聲，快速響應(yīng)，無增益
低成本，適用于常規(guī)光電探測應(yīng)用
性價比高，quan方位技術(shù)支持
提供非標(biāo)定制服務(wù)
應(yīng)用領(lǐng)域：
紫外與可見光測量
主要參數(shù)：
參數(shù) | 值 | ||||||
波長范圍 | 200-1100nm | 350-1100nm | 320-1100nm | ||||
感光尺寸 | Φ1.0mm | Φ3.6mm | Φ10.0mm | ||||
帶寬范圍 | 350MHz | 25MHz | 10MHz | ||||
上升時間（@50Ω） | 1ns | 14ns | 35ns | ||||
NEP | 5.0×10-14W/Hz1/2 | 1.6×10-14W/Hz1/2 | 2.4×10-14W/Hz1/2 | ||||
暗電流 | 0.3nA(Typ.)/10nA(Max) | 0.35nA(Typ.)/6.0nA(Max) | 0.9nA(Typ.)/10nA(Max) | ||||
結(jié)電容 | 6pF(Typ.) | 40pF(Typ.) | 150pF(Typ.) | ||||
偏置電壓 | 10V | ||||||
輸出電流 | 0~10mA | ||||||
輸出電壓 | ~9V(Hi-Z)； | ||||||
光敏面深度 | 0.09" (2.2 mm) | 0.09" (2.2 mm) | 0.13" (3.3mm) | ||||
工作溫度 | 10-40℃ | ||||||
存儲溫度 | -20-70℃ | ||||||
探測器凈重 | 0.10kg | ||||||
欠壓指標(biāo) | Vout ≤9V(Hi-Z) Vout ≤170mV(50Ω) | ||||||
外觀尺寸 | 2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.8 mm X 22.5 mm) | ||||||
供電電池 | 供電開關(guān) | 信號接口 | 電池監(jiān)測 | 支桿接口 | 光學(xué)接口 | ||
A23，12VDC，40mAh | 滑動開關(guān) | BNC母座 | 瞬時按鈕 | M4 X 2 | SM1 X 1 | ||
尺寸圖：
SI響應(yīng)曲線:
附件1：可選配置表
硅基偏壓光電探測器 | 可選配置 | ||||
產(chǎn)品名稱 | 材料 | 類型 | 特點 | 波長范圍 感光尺寸 | 預(yù)留可選配置 |
PD: "光電探測器" | S：Si硅基 | B：偏壓型 | C：常規(guī)型 | 2B10：200-1100nm，Φ1.0mm |
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| 3E36：350-1100nm，Φ3.6mm |
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| 3D100：320-1100nm，Φ10.0mm |
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附件2：型號貨號對照表
型號 | 貨號 | 規(guī)格 |
PDSBC2B10 | A | 200-1100nm硅基偏壓光電探測器，感光尺寸Φ1.0mm，上升時間1ns，帶寬350MHz |
PDSBC3E36 | A | 350-1100nm硅基偏壓光電探測器，感光尺寸Φ3.6mm，上升時間14ns，帶寬25MHz |
PDSBC3D100 | A | 320-1100nm硅基偏壓光電探測器，感光尺寸Φ10.0mm，上升時間35ns，帶寬10MHz |
更新時間：2024/8/24 13:45:49
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