垂直腔面發射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發光二管）和LD（激光二管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型，N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成，在P型DBR外表面制作金屬接觸層，形成歐姆接觸，并在P型DBR上制作一個圓形出口，輸出激光。
應用
原子鐘
磁力計
特點:
包裝: 裸片
芯片工藝: GaAs 垂直腔面發射激光器
激光波長: 894.6 nm
輻射剖面: 單模
ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)
大額定值
Ta = 80°C
| 參數 | 符號 | 值 | |
| 操作/焊接溫度 DC = 99% | TS | 小值 大值 | -20°C 110°C |
| 儲存溫度 | Tstg | 小值 大值 | -40°C 125°C |
| 正向電流（保持單模） 直流操作; DC = 99%; TS = 75°C | If | 大值 | 1.5 mA |
| 正向電流 直流操作; DC = 99%; TS = 75°C | If | 大值 | 3 mA |
| 反向電壓 | 不適合反向操作 | ||
| ESD 耐電壓 acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A) | VESD | 大值 | 250 V |
注意:超出大額定值范圍的應力可能會對設備造成永jiu性損壞。
特點
Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 99% - Group 3
| 參數 | 符號 | 值 | |
| 正向電流 | VF | 典型值 | 1.78 V |
| 輸出功率 | Φ | 典型值 | 0.3 mW |
| 閾值電流 | Ith | 典型值 | 0.61 mA |
| 斜率效能 | SE | 典型值 | 0.37 W / A |
| 單模抑制比 | SMSR | 小值 | 20 dB |
| 偏振消光比5) | PER | 小值 | 15 dB |
| 峰值波長 | λpeak-v | 小值 典型值 大值 | 894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm |
| 光譜線寬度 | Λlinewidth | 大值 | 100 MHz |
| 調頻調制帶寬 | Fm | 小值 | 4.6 GHz |
| 波長溫度系數 | TCλ | 典型值 | 0.06 nm / K |
| 半峰全寬處視場(50% of Φmax) | φx φY | 典型值 典型值 | 12° 12° |
| 1/e2處 視場 | φx φY | 典型值 典型值 | 20° 20° |
注意:波長,輸出功率根據操作溫度和電壓的變化而變化。
相對光譜發射 1)
輻射特征 1)
正向電流 1) 2)
光輸出功率 1) 2)
尺寸圖 ,單位 um)
更新時間：2023/5/24 17:35:35
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