MP6514S型探測器組件由4x4陣列規格InGaAs單光子雪崩光電二管(SPAD)芯片、CMOS主被動淬滅電路芯片倒焊互連而成的探測器模塊與電壓逆變模塊、制冷模塊、信號控制模塊組成。在蓋革工作模式下，探測器組件各像元獨立、自由運行，探測0.95 ~ 1.65 μ m的近紅外波段范圍內微弱光信號，實時輸出TTL電信號。
InGaAs單光子陣列探測器組件 950～1650nm,InGaAs單光子陣列探測器組件 950～1650nm●光譜響應波段0.95 ~ 1.65μm
●采用金屬封裝，器件質輕靈巧
●像元獨立、自由運行
●像元可探測弱光子信號
●死時間、蓋革雪崩信號檢測閾值可調
●透霧、霾、煙塵等測距
●近紅外激光告警
●遠距離激光測距
●遠距離空間激光通信
封裝外形結構與尺寸(單位: mm )
電學接口
●電源輸入: +5V
●數據輸出類型: TTL
●控制命令接口: J63A-31
●電源輸入接口類型: J30J
●數據輸出接口類型: J63A-31
●外觸發接口: SSMA
| 接口編號 | 功能 |
| 1 | SSMA-1:內同步信號輸出 |
| 2 | SSMA-2:外同步信號輸入 |
| 3 | J63A-31:輸出信號端口及探測器工作設置輸入信號端口 |
| 4 | J30J: +5V單電源供電 |
探測器面陣規格
| 性能描述 | |
| 器件類型 | InGaAs APD |
| 陣列規模 | 4x4 |
| 像元大小 | 100μm x 100μm |
| 光敏面大小[1] | 85μm x 85μm |
| 光窗 | 石英光窗 |
| 感光靶面至光窗外表面間距 | 4mm (光窗厚度為1mm ) |
| 注[1]:單片集成微透鏡焦距150μm。 |
主要性能指標(Tc=22+3℃)
| 特性參數 | 參數指標 |
| 工作波長[1] | 0.95 ~ 1.65μm |
| 探測效率 | ≥10% ( 1.57 +0.05μm) |
| 暗計數率 | ≤10KHz |
| 時間抖動 | ≤500ps |
| 死時間 | 100 ~ 1000ns可調 |
| 有效像元率 | 99% |
| 注[1]:在工作波長范圍內選配標準窄帶濾光片。 | |
大額定值
| 參數 | 額定值 | 單位 |
| 工作溫度范圍Tc | -40～+55 | °C |
| 貯存溫度范圍TSTG | -40～+70 | °C |
| 大功耗P | 15 | W |
| 輸入偏置范圍VR | 4.9～5.5 | V |
| 靜電放電敏感度ESD | 1000～2000 | V |
質量可靠性保證
● 產品執行GJB8121-2013《半導體光電組件通用規范》相關要求。
更新時間：2023/5/24 17:35:35
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