KDB-2B金屬薄膜方塊電阻測試儀
1、概述
本設備專用于測量金屬薄膜方塊電阻，KDB-2B測試儀嚴格參照國際標準要求研制，運用了*的半導體薄層測量技術，無需特別制樣，可測不規則的金屬薄膜。
2、技術參數
（1）測量范圍：0.0001-19.999Ω/m
（2）測量電流分兩檔：100mA和1000mA
（3）數字表：測量范圍0-19.999mV，靈敏度1μV
（4） 供電電源：
交流電壓：220V±10%
頻率：50Hz±5%
消耗功率：≤12W
（5） 外形尺寸：425mm（含前把手）×102mm×362mm（寬×高×深）
（6）儀器重量：7.5Kg
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