產品簡介
技術參數品牌：ON安森美型號：NTF2955T1G批次：21+數量：10000制造商：onsemi產品種類：MOSFET安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-223-3晶體管極性：P-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：2
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON 安森美 |
| 型號： | NTF2955T1G |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 10000 |
| 制造商： | onsemi |
| 產品種類： | MOSFET |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-223-3 |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續漏極電流： | 2.6 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 185 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2 V |
| Qg-柵極電荷： | 14.3 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 2.3 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降時間： | 38 ns |
| 正向跨導 - 最小值： | 1.77 S |
| 高度： | 1.57 mm |
| 長度： | 6.5 mm |
| 上升時間： | 7.6 ns |
| 系列： | NTF2955 |
| 晶體管類型： | MOSFET |
| 典型關閉延遲時間： | 11 ns |
| 典型接通延遲時間： | 3.5 mm |
| 寬度： | 250 mg |
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