產品簡介
技術參數品牌：ON安森美型號：NTHS4101PT1G批次：21+數量：10000制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：ChipFET-8通道數量：1Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：20VId-連續漏極電流：6
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON 安森美 |
| 型號： | NTHS4101PT1G |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 10000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | ChipFET-8 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 20 V |
| Id-連續漏極電流： | 6.7 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 42 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 8 V |
| Pd-功率耗散： | 1.3 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.05 mm |
| 長度： | 3.05 mm |
| 系列： | NTHS4101P |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 寬度： | 1.65 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 15 S |
| 下降時間： | 28 ns |
| 上升時間： | 28 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 75 ns |
| 典型接通延遲時間： | 8 ns |
| 單位重量： | 85 mg |
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