技術參數(shù)
| 品牌： | Infineon 英飛凌 |
| 型號： | IPW60R070C6 |
| 批次： | 21+ |
| 數(shù)量： | 12000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-247-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 600 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 53 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 63 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 170 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 391 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 21.1 mm |
| 長度： | 16.13 mm |
| 系列： | CoolMOS C6 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 5.21 mm |
| 下降時間： | 5 ns |
| 上升時間： | 12 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 83 ns |
| 典型接通延遲時間： | 16 ns |
| 零件號別名： | IPW60R070C6FKSA1 SP000645060 IPW6R7C6XK IPW60R070C6FKSA1 |
| 單位重量： | 38 g |
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