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深圳市安桐派科技有限公司

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場效應(yīng)管 DMN2016UTS-13

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:DMN2016UTS-13
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:礦用防爆
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2022-12-30 08:09:48
  • 瀏覽次數(shù):7
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  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1096條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2016-08-13
  • 最近登錄:2022-12-29
  • 聯(lián)系人:洪生
  • 電    話:13760331317
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:DIODES型號:DMN2016UTS-13批號:2019+封裝:TSSOP8數(shù)量:20000QQ:制造商:DiodesIncorporated產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:TSSOP-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:2ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20VId-連續(xù)漏極電流:8

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:DIODES
型號:DMN2016UTS-13
批號:2019+
封裝:TSSOP8
數(shù)量:20000
QQ:
制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TSSOP-8
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流: A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:880 mW
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
配置:Dual
產(chǎn)品:MOSFET Small Signal
系列:DMN2016
晶體管類型:2 N-Channel
商標(biāo):Diodes Incorporated
下降時間: ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間: ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: ns
典型接通延遲時間: ns
單位重量:158 mg
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