產品概述
去膠工藝是微加工過程中一個重要的過程，在電子束曝光，紫外曝光等微納米加工工藝后，都要對光刻膠進行去除或打底膜處理。光刻膠是否去除干凈對樣片是否有損傷等問題，將直接影響后續工藝的順利完成。P-MD使用性能出色的組件和軟件，可對工藝參數進行精確控制。它的工藝監測和數據采集軟件可實現嚴格的質量控制。該技術已經成功的應用于功率晶體管、模擬器件、傳感器、光學器件、光電、EMS/MOEMS、生物器件、LED等領域。
規格參數
| P-MD參數(標準配置) | ||
| 外部尺寸 | 641*533*451mm | |
| 真空腔尺寸 | 直徑210mm*230mm | 不銹鋼腔體 |
| 電極尺寸 | 125*125mm 間距20-75mm可調 | 二個多控自適應平板電極 |
| 等離子體發生器 | RF射頻發生器，頻率：13.56MHz | 自適應阻抗匹配電源 |
| 功率 | 0-200W連續可調 | 精度1W |
| 工藝氣體要求 | 1/4英寸卡套接口/15-30psig | |
| 工藝氣體種類 | CF4=99.97%; O2=99.996%；N2=99.99% | AR=99.999% 其它氣體咨詢 |
| 氣體控制 | 2路針式氣體流量閥 | 0-300ml |
| 控制方式 | 4.3寸觸摸屏 | 界面顯示實時工作狀態 |
| 保護裝置 | 一鍵急停保護按鈕 | |
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。